Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12··TED
Automated wafer prober (IMS-04) - PR1119714-2380-P
1 pc. Automated wafer prober
Typ:Ausschreibung
Ohne Kreditkarte · Sofortiger Zugang
1 pc. Automated wafer prober
Typ:Ausschreibung
Ohne Kreditkarte · Sofortiger Zugang
Nächster Schritt
Erhalten Sie alle Dokumente zu "Automated wafer prober (IMS-04) - PR1119714-2380-P" von Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12 und behalten Sie Fristen und Einreichungshinweise im Blick.
1 pc. Automated wafer prober
1 pc. Automated wafer prober
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
1 pc. Wafer Probe Station
on-Wafer HF-Probes, Kalibriersubstrat und Kabel
Art der Leistung Lieferleistung Umfang der Leistung Kauf, Lieferung, Installation und Inbetriebnahme einer THz-Wafer-Probe-Station
1 System: Fully Automated Wafer Electro Chemical Metal Plating Tool (IZM-140) Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Werkzeug für die elektrochemische Abscheidung (ECD) verschiedener Metallschichten auf Wafer-Substraten. Der Schwerpunkt liegt auf Bumps mit hohem Aspektverhältnis, Redistribution Layers (RDL) und der Kupferfüllung von Silizium-Durchkontaktierungen (TSV) mit hohem Aspektverhältnis. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben Durchmesser
1 pc. Mixed signal RF test system
Beschaffung einer THz-Wafer-Probe-Station für wissenschaftliche Messungen. Das System muss für die Charakterisierung von Wafern im Terahertz-Frequenzbereich ausgelegt sein. Enthalten sind die notwendige Hardware, mechanische Positionierungseinheiten, optische Komponenten zur THz-Einkopplung sowie die zugehörige Steuerungs- und Auswertesoftware. Die Anlage muss eine präzise Probenplatzierung und stabile Messbedingungen gewährleisten.
Beschaffung eines vollautomatisierten Wafer-Reinigungssystems (Modell IZM-130). Der Auftrag umfasst die Lieferung, Installation und Inbetriebnahme des Geräts zur automatisierten Reinigung von Wafern.
Beschaffung eines spektroskopischen Ellipsometers zur Charakterisierung dielektrischer Schichten (SiO2, TiO2, Si3N4, AlN) für die QMI-Backend-Integration. Anforderungen: Wellenlängenbereich 300–1700 nm, spektrale Auflösung < 5 nm, vollautomatische 200-mm-Wafer-Bearbeitung (Kassette zu Kassette). Inklusive Offline-Software für Materialmodellierung und Datenextraktion als Mehrbenutzerlizenz. Ziel ist die Materialentwicklung für ein PVD-Sputter-Cluster am Fraunhofer IMS.
Beschaffung von zwei Systemkomponenten: Los 1 (IMS-06.1) umfasst eine XYZ-Phi-Stage für Wafer bis 12 Zoll. Los 2 (IMS-06.2) umfasst 6-Achsen-Hexapoden inklusive der zugehörigen Controller.
Beschaffung von CMP (IMS-02).