ALD System (Dielectric) (IPMS-CNT06.1)
Angebotsfrist:04. März 2026(abgelaufen)
Typ:Ausschreibung
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ALD System (Dielectric) (IPMS-CNT06.1)
ALD System (Dielectric) (IPMS-CNT06.1)
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1 Stück ALD System (Dielectric) (IPMS-CNT06.1) Eine Anlage zum Aufbringen von Metallnitriden und dielektrischen Schichten mittels thermischer ALD-Verarbeitung auf Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm. Details siehe Vergabeunterlagen. Optionale Positionen gemäß Technical Tender Specification (Phase 2 des Vergabeverfahrens)
Beschaffung eines ALD-Systems (Dielektrikum) zur Abscheidung von Metallnitriden und dielektrischen Schichten mittels thermischem ALD auf 300-mm-Wafern. Anforderungen: Swap-Kit, Waferrotation, Dummy-Wafer-Speicher (min. 25), Notch-Aligner (≤0,5º/≤0,1mm), Kühlstation, Vorheizstation, Anschlüsse für In-situ-Metrologie (Massenspektroskopie/Ellipsometrie), Rückseiten-Schutz, Quarz-Wafer-Handling. Inkl. BKM für thermisches ALD von SiO2 und Ta2O5 mit metallorganischen Precursoren.
1 Stück Single Wafer ALD for TiN Es wird eine Einzelwafer-Atomschichtabscheidungsanlage für TiN sowie für Al2O3 und SiO2 adressiert. Das System muss mit einer ferngesteuerten Plasmaquelle entweder für den TiN-Prozess oder für die Vorbehandlung der Oberfläche direkt vor der ALD ausgestattet sein. Dieses System ist für zwei wichtige Anwendungen in der Prozesslinie erforderlich. Eine Anwendung ist die Abscheidung einer TiN-Barriere innerhalb von TSV für die fortgeschrittene Integration von MEMS-Chi
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