Single Chamber Cleaning Tool (IZM-137)
Ein Nasschemikalien-Reinigungssystem für die Halbleiterfertigung, das verschiedene Medienversorgungseinheiten, Sprüh- und Spülmodule sowie Ionisierungseinheiten zur präzisen Steuerung und Überwachung der Prozessparameter umfasst. Das System unterstützt die Reinigung von Fotomasken, Wafer-Substraten und runden Wafern mi...
Typ:Ausschreibung
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Inhalt auf einen Blick
Ein Nasschemikalien-Reinigungssystem für die Halbleiterfertigung, das verschiedene Medienversorgungseinheiten, Sprüh- und Spülmodule sowie Ionisierungseinheiten zur präzisen Steuerung und Überwachung der Prozessparameter umfasst. Das System unterstützt die Reinigung von Fotomasken, Wafer-Substraten und runden Wafern mit 200 mm und 300 ...
- Ausschreibungstyp: Ausschreibung
- Auftraggeber: Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
- Veröffentlicht: 11. Mai 2026
- Frist: Nicht angegeben
- Thema: Pumpen
Ausschreibungsbeschreibung
Ein Nasschemikalien-Reinigungssystem für die Halbleiterfertigung, das verschiedene Medienversorgungseinheiten, Sprüh- und Spülmodule sowie Ionisierungseinheiten zur präzisen Steuerung und Überwachung der Prozessparameter umfasst. Das System unterstützt die Reinigung von Fotomasken, Wafer-Substraten und runden Wafern mit 200 mm und 300 mm Durchmesser. Es verwendet Piranha- und SC1-Chemikalienlösungen und ergänzt diese mit Ultraschallbewegung oder bürstenunterstützter Reinigung, um eine gründliche Entfernung von Partikeln und Oberflächenverunreinigungen zu gewährleisten. Optionale Features umfassen eine extreme Verformung und Durchbiegung, eine verbesserte Entfernung von Partikeln und Rückständen durch direkten Oberflächenkontakt und eine chemisch beständige Bürstenmaterial.
Weiterführende Details
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
- Kernanforderungen der Ausschreibung priorisiert aufbereitet
- Fristen, Eignungskriterien und Unterlagen in einem Ablauf
- Hinweise zur strukturierten Angebotsvorbereitung
- Passende Folgeausschreibungen automatisch entdecken
Dokumente und Anhänge
1 Datei erfasst- VERGABE_FRH_documents.zip
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1x Single Chamber Cleaning Tool Diese Spezifikation beschreibt die Komponenten und Funktionen eines Nasschemikalien-Reinigungssystems für die Halbleiterfertigung. Das System umfasst verschiedene Medienversorgungseinheiten, Sprüh- und Spülmodule sowie Ionisierungseinheiten zur präzisen Steuerung und Überwachung der Prozessparameter. Das System unterstützt die Reinigung von Fotomasken, auf Filmrahmen montierten Wafer-Substraten sowie runden Wafern mit 200 mm und 300 mm Durchmesser. Diese Reinigungsprozesse verwenden Piranha- und SC1-Chemikalienlösungen und werden durch Ultraschallbewegung oder bürstenunterstützte Reinigung ergänzt, um eine gründliche Entfernung von organischen Rückständen, Partikeln und Oberflächenverunreinigungen zu gewährleisten. Das Ziel ist die Entfernung von Partikeln mit einer Größe von >250 nm zur Unterstützung von i-Line-Lithografieanwendungen. Optionale Features: -Extreme Verformung und Durchbiegung im Bereich von 1500 bis 2500 µm -Verbesserte Entfernung von Partikeln und Rückständen durch direkten Oberflächenkontakt mithilfe eines vertikalen Rotationsbürstensystems -Bewegungsgesteuerter vertikaler Bürstenkopf -Chemisch beständiges Bürstenmaterial, geeignet für aggressive Medien -Verwendete Medien: DI-Wasser, SC1 (NH₄OH, H₂O₂), Piranha (H₂O₂ / H₂SO₄), nicht temperaturgesteuert -Durchfluss und Druck einstellbar und überwachbar: elektronische Anzeige mit programmierbaren Alarmgrenzen -Präzise geführte Bewegung für gleichmäßige Reinigungsleistung über die gesamte Substratoberfläche -Dosierarm: Programmierbare Bewegung (Steuerung von Start-/Endpunkt, -Scangeschwindigkeit, Drehzahl, Bürstenhöhe, Bürstendruck mit Kraftrückmeldung) -Programmierbare Bürsten-Selbstreinigungszyklen nach jedem Programm und während Inaktivitätsphasen (DI-Wasserspülung zur Verhinderung von Medienkristallisation) -Sicherheitsmerkmale: Programmierbare Alarmgrenzen mit Software-Verriegelung zur Prozesssteuerung -Lagerung von CO₂-Gasflaschen (2-6 kg, geeignet für die interne Chemikalienversorgung/Werkzeuglagerung) -Funktion: Kontrollierte CO₂-Injektion für -Leitfähigkeitsbereich: 5-15 µS, stabil bis ±20 % -Filtration: 0,003 µm CO₂-Gasfilter -Softwaregesteuerte Alarmgrenzen und Einstellungen -Bürstenunterstützte DI-Wasser-, SC1- oder Piranha-Reinigung auf der Vorderseite mit DI-Wasserreinigung auf Vorder- und Rückseite, N2-unterstütztes -Schleudertrocknen
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Fully Automated Wafer Cleaning Tool (IZM-130)
Ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten mit Durchmessern von 200 oder 300 mm und Dicken von bis zu 2,5 mm. Das Gerät muss Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å erreichen. Es ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel und muss die Schritte Entladen, Wenden, Nassprozesse und Entladen der Wafer vollautomatisch ausführen können. Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein. Ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien ist erforderlich. Optional können Waferdickenbereiche von 300 bis 600 µm und ein extrem verzogener und gewölbter Bereich von 1500 bis 2500 µm unterstützt werden.
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1x Fully Automated Wafer Cleaning Tool Die folgende Gerätespezifikation definiert ein vollautomatisches Nasswerkzeug zur Reinigung und optionalen Ätzung von Wafer-Substraten. Das neue Gerät erweitert das Prozessportfolio um verschiedene Reinigungstechnologien zur Entfernung organischer und anorganischer Verunreinigungen für Anwendungen wie die Reinigung von TSVs mit hohem Aspektverhältnis (bis zu 25:1), die Dekontamination der Vorder- und Rückseite für ultrahochdichte BEOL wie Verdrahtungen oder für Stapeltechnologien mit Cu/Cu-Hybridverbindungen mit Strukturgrößen im Sub-µm-Bereich. Die Anforderungen an die Dekontamination und Sauberkeit der Waferoberfläche erfordern eine Partikelkontrolle auf weniger als 1 μm Größe, eine metallische Oberflächenverunreinigung von weniger als 10^9 Atomen/cm^2 und eine Oberflächenrauheit von weniger als 5 Å. Das Gerät ist mit 3D-Waferstapeln mit hoher Verformung/Wölbung kompatibel. Die Wafer-Substrate bestehen aus Silizium und/oder Glas, haben einen Durchmesser von 200 oder 300 mm und eine Dicke von bis zu 2,5 mm. Vor dem Prozess werden die Wafer in Front Opening Unified Pods (FOUPs) zum Gerät transportiert, die vom Bediener manuell auf die jeweiligen Ladeöffnungen gesetzt werden. Das neue Gerät muss in der Lage sein, die folgenden Schritte vollautomatisch auszuführen: • Entladen der vorgesehenen Wafer aus dem FOUP • Wenden der Wafer • Durchführen der Nassprozesse • Entladen der Wafer zurück in ihre Ausgangsposition im FOUP Die Programmierung von Rezepturen muss innerhalb eines angemessenen Bereichs von Optionen und Parametern möglich sein, wie es für Forschung und Entwicklung (F&E) erforderlich ist. Es muss ein Sicherheitsschrank für das Mischen und die Lagerung aller erforderlichen Nasschemikalien vorhanden sein. Optionale Features: - Ausgedünnter Waferdickenbereich von 200 und 300 mm (Si oder Glas): 300 ... 600 µm (LV-Pos 1.19) - Extremer Verzugs- und Wölbungsbereich 1500 .. 2500 µm (LV-Pos 1.23) - Option: Anorganischer Ätzprozess für Metall- und Oxidschichten (LV-Pos 2.22) - Megasonic oder ähnliche Energie als Option (LV-Pos 2.58) - Einzelwafer-Sprühverfahren (LV-Pos 2.59) - Einstellbare Sprühdüsen/Arm zur Optimierung der Ätzgleichmäßigkeit (LV-Pos 2.60) - Optische Endpunkterkennung (LV-Pos 2.61) - Schneller Spin-Wafer-Chuck (einstellbar) bis zu 2000 U/min (LV-Pos 2.62) - Chemikalien: Zweikomponentenmischung und mit CO2 beladenes DI-Wasser (LV-Pos 2.63) - 10-Liter-Innentanks mit Einzel-/Rückgewinnungsmodus (LV-Pos 2.64) - Überlaufschutz (LV-Pos 2.65) - Sicherheitsschrank für Lagerung, Mischung und Nachfüllung der beiden Komponenten (LV-Pos 2.66) - Reines DI-Wasser (LV-Pos 2.67) - Trockenverfahren (LV-Pos 2.68) - 10 x 300 mm Wafer Siliziumoxid-Ätzen ohne Rückstände (Ätzrate > 0,1 µm/min für Siliziumdioxid, Ätzgleichmäßigkeit < 5 % 1 Sigma) (LV-Pos 3.25)
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