1 Stück Multi-150mm III-V MBE System Multiwafer-Molekularstrahlepitaxieanlage für die Epitaxie von III-V-Verbindungshalbleiterbauelementen
Angebotsfrist:30. April 2026
Typ:Ausschreibung
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1 Stück Multi-150mm III-V MBE System Multiwafer-Molekularstrahlepitaxieanlage für die Epitaxie von III-V-Verbindungshalbleiterbauelementen
1 Stück Multi-150mm III-V MBE System Multiwafer-Molekularstrahlepitaxieanlage für die Epitaxie von III-V-Verbindungshalbleiterbauelementen
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
1 Stück Evaporation system Das Fraunhofer IAF plant die Anschaffung einer Elektronenstrahl-Verdampfungsanlage für die Metallverdampfung. Die Anlage soll für die Bearbeitung von 150-mm-Wafern geeignet sein.
Lieferung einer CMP-Anlage zur chemisch-mechanischen Politur von dielektrischen Schichten (z.B. Siliziumoxid) auf Si- und III-V-Halbleiterwafern der Größen 100 mm und 150 mm. Die Anlage muss über integrierte Reinigung und optische Endpoint Detection verfügen. Ziel ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit für das anschließende Wafer-Fusion-Bonden von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern. Optionen: Getrennte Abflussleitung für DI-Wasser und Chemikalien, SESC/GEM-Schnittstelle zur Datenübertragung an MES-System, Endpoint Detection über Drehmoment.
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