Lieferung einer CMP-Anlage zur chemisch-mechanischen Politur von dielektrischen Schichten (z.B. Siliziumoxid) auf Si- und III-V-Halbleiterwafern der Größen 100 mm und 150 mm. Die Anlage muss über integrierte Reinigung und optische Endpoint Detection verfügen. Ziel ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächen...
Angebotsfrist:30. April 2026
Typ:Ausschreibung
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Lieferung einer CMP-Anlage zur chemisch-mechanischen Politur von dielektrischen Schichten (z.B. Siliziumoxid) auf Si- und III-V-Halbleiterwafern der Größen 100 mm und 150 mm. Die Anlage muss über integrierte Reinigung und optische Endpoint Detection verfügen. Ziel ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit für da...
Lieferung einer CMP-Anlage zur chemisch-mechanischen Politur von dielektrischen Schichten (z.B. Siliziumoxid) auf Si- und III-V-Halbleiterwafern der Größen 100 mm und 150 mm. Die Anlage muss über integrierte Reinigung und optische Endpoint Detection verfügen. Ziel ist die Planarisierung und Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit für das anschließende Wafer-Fusion-Bonden von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern. Optionen: Getrennte Abflussleitung für DI-Wasser und Chemikalien, SESC/GEM-Schnittstelle zur Datenübertragung an MES-System, Endpoint Detection über Drehmoment.
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