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Das Institut für Halbleiteroptik und funktionelle Grenzflächen (IHFG) hat InAs-Quantenpunktstrukturen (QD) entwickelt, die im C-Band des Telekommunikationsbereichs emittieren und auf metamorphen Pufferschichten (MMBs) aus InGaAs auf einer GaAs-Plattform basieren. Das Wachstum dieser QD-Strukturen ist derzeit für kleine...
Typ:Ausschreibung
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Inhalt auf einen Blick
Das Institut für Halbleiteroptik und funktionelle Grenzflächen (IHFG) hat InAs-Quantenpunktstrukturen (QD) entwickelt, die im C-Band des Telekommunikationsbereichs emittieren und auf metamorphen Pufferschichten (MMBs) aus InGaAs auf einer GaAs-Plattform basieren. Das Wachstum dieser QD-Strukturen ist derzeit für kleine Substrate (15 × ...
- Ausschreibungstyp: Ausschreibung
- Auftraggeber: Universität Stuttgart
- Veröffentlicht: 12. Mai 2026
- Frist: Nicht angegeben
Ausschreibungsbeschreibung
Das Institut für Halbleiteroptik und funktionelle Grenzflächen (IHFG) hat InAs-Quantenpunktstrukturen (QD) entwickelt, die im C-Band des Telekommunikationsbereichs emittieren und auf metamorphen Pufferschichten (MMBs) aus InGaAs auf einer GaAs-Plattform basieren. Das Wachstum dieser QD-Strukturen ist derzeit für kleine Substrate (15 × 15 mm2 Proben) optimiert, aber es werden Anstrengungen unternommen, um es auf volle 4-Zoll-Wafer zu skalieren. Das IHFG möchte den intrinsischen Wachstumsgradienten über den Wafer hinweg nutzen, um photonische Kavitäten (insbesondere Bullseye-Kavitäten) zu entwickeln, die bei verschiedenen Wellenlängen für verschiedene Quantenanwendungen arbeiten. In einem solchen Fall würde die Herstellung der Bullseye-Kavität nur einen einzigen Epitaxie-Wachstumsschritt erfordern, gefolgt von einer Wafer-Bonding-Verbindung mit einem Silizium-Trägerwafer, einer Membranbearbeitung und einem hochpräzisen Dicing, um zahlreiche Chips herzustellen, die einen Bereich von Kavitätenwellenlängen abdecken. Darüber hinaus müssen für die Herstellung von Wellenleitern, in die Telekommunikations-QDs eingebettet sind, die Facetten der Wellenleiter mit einem duktilen Schneideverfahren vorbereitet werden, um optisch glatte Oberflächen zu erzielen, die für eine effiziente Lichtkopplung geeignet sind. Für die Integration der QD-Membran in photonische integrierte Plattformen auf Siliziumbasis zur Realisierung von III-V/Si-basierten quantenphotonischen integrierten Schaltungen (QPICs) muss die integrierte Schaltung auf Siliziumbasis geschnitten werden. Für alle genannten Anwendungen ist eine hochpräzise Trennsäge unerlässlich.
Weiterführende Details
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
- Kernanforderungen der Ausschreibung priorisiert aufbereitet
- Fristen, Eignungskriterien und Unterlagen in einem Ablauf
- Hinweise zur strukturierten Angebotsvorbereitung
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Dokumente und Anhänge
49 Dateien erfasst- PDF Notice (BUL)
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- PDF Notice (DEU)
- PDF Notice (EST)
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- Universität Stuttgart
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Häufige Fragen zu dieser Ausschreibung
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- Für diese Bekanntmachung ist aktuell keine konkrete Angebotsfrist angegeben.
- Wer ist der Auftraggeber?
- Der Auftraggeber ist Universität Stuttgart.
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