Das Fraunhofer IKTS beschafft ein (Raster-)Transmissionselektronenmikroskop ((S)TEM) mit 300 kV Beschleunigungsspannung. Ziel ist die Analyse von Widebandgap-Halbleitern (SiC, GaN, GaAs) zur Bestimmung der Defektdichte sowie die Stärkung der Expertise in Materialwissenschaften und Nanotechnologie im Rahmen des Projekts...
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Das Fraunhofer IKTS beschafft ein (Raster-)Transmissionselektronenmikroskop ((S)TEM) mit 300 kV Beschleunigungsspannung. Ziel ist die Analyse von Widebandgap-Halbleitern (SiC, GaN, GaAs) zur Bestimmung der Defektdichte sowie die Stärkung der Expertise in Materialwissenschaften und Nanotechnologie im Rahmen des Projekts SAXCRYSTALPOWER ...
Das Fraunhofer IKTS beschafft ein (Raster-)Transmissionselektronenmikroskop ((S)TEM) mit 300 kV Beschleunigungsspannung. Ziel ist die Analyse von Widebandgap-Halbleitern (SiC, GaN, GaAs) zur Bestimmung der Defektdichte sowie die Stärkung der Expertise in Materialwissenschaften und Nanotechnologie im Rahmen des Projekts SAXCRYSTALPOWER (EFRE InfraProNET-Förderung). Das Gerät dient der multiskaligen Charakterisierung und Entwicklung von in-situ-Methoden.
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