Lieferung von 7.500 Stück Silizium-Wafern (Si-Wafer), Durchmesser 200 mm, Kristallzüchtung Czochralski (CZ), Dotierung p-leitend mit Bor, Kristallorientierung <100> +/- 0,5°, spezifischer Widerstand 10-20 Ohm?cm, Dicke 725 +/- 15 µm, Oberflächenqualität SSP (Single Side Polished).
Angebotsfrist:02. Mai 2026
Typ:Ausschreibung
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Lieferung von 7.500 Stück Silizium-Wafern (Si-Wafer), Durchmesser 200 mm, Kristallzüchtung Czochralski (CZ), Dotierung p-leitend mit Bor, Kristallorientierung <100> +/- 0,5°, spezifischer Widerstand 10-20 Ohm?cm, Dicke 725 +/- 15 µm, Oberflächenqualität SSP (Single Side Polished).
Lieferung von 7.500 Stück Silizium-Wafern (Si-Wafer), Durchmesser 200 mm, Kristallzüchtung Czochralski (CZ), Dotierung p-leitend mit Bor, Kristallorientierung <100> +/- 0,5°, spezifischer Widerstand 10-20 Ohm?cm, Dicke 725 +/- 15 µm, Oberflächenqualität SSP (Single Side Polished).
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
Beschaffung von 7.512 Stück Silizium-Wafern. Spezifikation: 200 mm Durchmesser, P-Typ (Bor-dotiert), <100> Kristallorientierung, spezifischer Widerstand 5-22 Ohm*cm, rückseitig geätzt (Backside Etched).
Beschaffung von 7.512 Stück Silizium-Wafern. Spezifikation: 200 mm Durchmesser, P-Typ (Boron-Dotierung), <100> Orientierung, spezifischer Widerstand 5-22 Ohm*cm, rückseitig geätzt (Backside Etched).
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