Entwicklung SiC-Gapschalter
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten
Angebotsfrist:26. August 2025(abgelaufen)
Typ:Ausschreibung
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Inhalt auf einen Blick
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten
- Ausschreibungstyp: Ausschreibung
- Auftraggeber: GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH
- Veröffentlicht: 26. August 2025
- Frist: 26. August 2025
Ausschreibungsbeschreibung
Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten
Weiterführende Details
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
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Dokumente und Anhänge
49 Dateien erfasst- PDF Notice (BUL)
- PDF Notice (SPA)
- PDF Notice (CES)
- PDF Notice (DAN)
- PDF Notice (DEU)
- PDF Notice (EST)
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- Wie kann ich mich auf diese Ausschreibung bewerben?
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- Bis wann läuft die Angebotsfrist?
- Die Angebotsfrist endet am 26. August 2025.
- Wer ist der Auftraggeber?
- Der Auftraggeber ist GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH.
- Welche Unterlagen sind für den Start relevant?
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