CMP-System zur chemisch-mechanischen Polierung von Dielektrika (z.B. Siliziumoxid) auf 100 mm und 150 mm Si- und III-V-Halbleiterwafern. Integrierte Reinigung und optische Endpunktdetektion. Ziel: Oberflächenplanarisierung und Verbesserung der Rauheit für nachfolgende Waferfusion von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern. Op...
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CMP-System zur chemisch-mechanischen Polierung von Dielektrika (z.B. Siliziumoxid) auf 100 mm und 150 mm Si- und III-V-Halbleiterwafern. Integrierte Reinigung und optische Endpunktdetektion. Ziel: Oberflächenplanarisierung und Verbesserung der Rauheit für nachfolgende Waferfusion von III-V-Halbleitern mit Si-Wafern. Optionen: Separate Abflussleitungen für DI-Wasser und Chemikalien, SESC/GEM-Schnittstelle zum MES-System, Endpunktdetektion über Drehmoment.
Nach Registrierung stehen Unterlagen, Fristen und Hinweise zur Einreichung strukturiert bereit.
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